2022 SID 顯示週

Porotech將參加SID顯示週展覽的I-Zone展區,展期為5月10日至12日!

歡迎來到我們在I-Zone展區的R23展位參觀,實際體驗我們的多彩MicroLED顯示器,並與我們的團隊交流。 請通過info@porotech.co.uk與我們聯繫,安排一對一的會議。 2022年5月8日至13日,美國加州聖荷西麥克埃納利會展中心( McEnery Convention Centre)

 

Porotech CEO兼聯合創辦人朱彤彤博士也將在今年的SID 顯示週商業會議上進行演講。

摘要

多孔的氮化物半導體實際上是一種新型半導體材料,常用於發光二極管。多孔性提供了新的參數來調節屬性,包括折射率、熱能和導電率。傳統做法,需使用乾法蝕刻過程形成深溝以創建表面多孔性氮化鎵(GaN);Porotech開發了一種可大規模生產的新型製程替代蝕刻過程,適用於商業應用。這使得次表面多孔結構可以應用在更多的材質上,從發光二極管到單光子源,現在還包括原生氮化鎵紅色 MicroLEDs。

簡歷

朱彤彤博士擁有劍橋大學材料科學博士學位,具備物理學、電子學、工程學和材料科學等多領域的背景,在III-氮化物半導體材料領域擁有15年以上的經驗,並在研究材料生長的同時,開發了許多創新的材料和結構生產製程。

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