2022 CS 國際會談

利用微型結構提升microLED性能

Porotech CEO兼共同創辦人朱彤彤博士將於2022年6月28日至29日在布魯塞爾舉行的CS 國際會談上進行演講。

摘要

多孔的氮化物半導體實際上是一種新型半導體材料,常用於發光二極管。多孔性提供了新的參數來調節屬性,包括折射率、熱能和導電率。傳統做法,需使用乾法蝕刻過程形成深溝以創建表面多孔性氮化鎵(GaN);Porotech開發了一種可大規模生產的新型製程替代蝕刻過程,適用於商業應用。這使得次表面多孔結構可以應用在更多的材質上,從發光二極管到單光子源,現在還包括原生氮化鎵紅色 MicroLEDs。

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